2.5D和3D封装技术精髓，铜混合键合工艺
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代工厂、设备供应商、研发机构等都在研发一种称之为铜混合键合工艺，这项技术正在推动下一代2.5D和3D封装技术。与现有的堆叠和键合方法相比，混合键合可以提供更高的带宽和更低的功耗，但混合键合技术也更难实现。台积电计划通过在日本建立一家研究机构来开发3D SoIC封装材料，它是基于混合键合后端工艺。通过混合键合，可以实现10μm或更小的键合间距。这样的间距尺寸可使半导体之间的能源效率提高20倍，而半导体之间的通信速度则要快10倍。混合键合通过在晶片上蚀刻通孔图案并沉积铜来形成电极。两个管芯通过测量的晶圆上裸露的铜电极粘结在一起以形成3D封装。混合键合是一项可行的技术，可能催生新一类产品。对此你怎么看？
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