中科院研究员辟谣：5nm光刻技术存在误读，国产水平在180nm

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今年 7月份，中科院发表的一则《超分辨率激光光刻技术制备5纳米间隙电极和阵列》的研究论文引起了广泛的关注。有媒体将其解读为“中国不用EUV光刻机，便能制造出5nm芯片”，但事实并非如此。论文介绍的新型5nm超高精度激光光刻加工方法，主要用在光掩膜制作上，并非是极紫外光光刻技术，部分媒体混淆了两者的概念。长时间来，中国只能制造中低端光掩膜，并且还要依赖海外技术、材料等。而高端光掩膜版更是成为我国“卡脖子”技术之一。全球高端光掩膜市场主要被美国Photronics、日本印刷株式会社、日本Toppan三者所垄断，余下的市场份额很少。因此，中科院所攻克的这项新技术，虽然没有部分媒体表述的那样夸张，但对我国高端光掩膜市场的突破，依然具有重要意义。该技术具有完全自主知识产权，并且有成本更低的优点。但是，该技术仍处在实验室阶段，想要实现商用并非是一件容易事。而且，我国光刻机技术也有十分漫长的路要走。据AI财经社消息，有半导体产业资深人士表示：目前我国可以实现180nm制程，但仍在试用阶段，还需要攻克。