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新型相变存储器，结合DRAM和NAND的优点
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韩国科学技术院（KAIST）的科学家们最近取得了令人瞩目的成就，他们成功研发出一种新型的相变存储器，这不仅仅是一个简单的技术进步，更是对现有存储技术的一次革命性颠覆。

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