紫光国芯12nm技术成功破冰，中国半导体必将迎来新机遇

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视频介绍

美国芯片断供之后，催生了我国对半导体行业的自研决心，近日有消息称，紫光国芯推出了首个基于12nm工艺的GDDR6存储控制器和物理接口，控制器芯片速率可达16Gbps。 去美化势在必行，美国的封锁迟早会加速我国走上自主研发的道路。该工艺是在14nm工艺基础上改良而来，和其相比12nm芯片进行了晶体管的微缩，将其尺寸减小，功耗和错误率也随之降低。此次在存储控制器上的突破，是第一个融入12nm制程的GDDR6存储物理接口，有利于闪存平台的搭建，也大大提高了数据上的传输，能优化带宽高性能的要求。值得注意的是，紫光国芯在GDDR6技术上的突破，不仅让国内显存技术得以高度提升，而且有利于国产显卡新平台的诞生。目前我国在半导体行业的国产化正在有条不紊地进行，从国产EDA软件、到芯片的封装测试工厂，涵盖了半导体制造几乎大半核心技术的产业，都在逐渐实现国产化、自主化。中国的半导体行业势必迎来更大的发展机遇。