高分辨率成像技术探究硅中的纳米层结构

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视频介绍

耶拿大学光学与量子电子研究所的研究团队开发高分辨率成像技术能够以无损方式和纳米精度研究材料，可更清晰地看到半导体内部。成像程序基于光学相干断层扫描（OCT)，耶拿大学物理学家使用OCT时使用的是短波紫外线，而不是长波红外线。产生这种极短波的紫外线(XUV）需要大型的设备，然而，耶拿物理学家在普通实验室中产生宽带XUV。物理学家将硅中的纳米层结构暴露在相干的XUV辐射下，并分析了反射光。硅样品包含不同深度的其他金属的薄层。由于这些材料的反射特性与硅不同，因此可以在反射辐射中检测到它们。不仅可以以纳米精度显示微小样品的深层结构，而且由于反射行为的不同，还可以精确确定样品的化学成分。最重要的是，以非破坏性的方式。这使得相干断层扫描成为检测半导体、太阳能电池或多层光学元件的重要应用。