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离子电子学的突破，改进电池的单晶薄膜诞生
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自20世纪40年代以来，科学家们一直在研究氧化铌，特别是一种被称为五氧化二铌的氧化铌，在提高电池效率方面的潜力。

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通过电压偏置控制材料的电子特性是许多电子应用的基石。

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T-Nb2O5 是一种前景广阔的材料

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垂直方向的二维通道为离子的快速迁移提供了路径。

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