突破极限，亚1纳米栅长晶体管诞生，革新小尺寸晶体管制备路径
下载贤集网APP看更多精彩视频
下载贤集网APP看更多精彩视频
近年来，涵盖从半金属、半导体到绝缘体的广泛导电性的二维材料，在下一代电子器件中引起了极大的关注。二硫化钼作为二维过渡金属二硫化物的代表，其带隙比硅更大。此外，其天然的n掺杂行为、更大的电子有效质量和更低的介电常数导致对短沟道效应的出色抵抗。因此，二硫化钼有望成为替代硅作为未来晶体管沟道材料的理想候选者。 巴特，尽管已经报道了原子级薄的二硫化钼晶体管，但栅极长度低于1纳米的器件的制造一直具有挑战性。 不久前...
我来说几句
还没有人评论哦，抢沙发吧~
