碳化硅单晶片不切好，后面都白搭哦！

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视频介绍

在5G通信技术、新能源汽车以及光电应用等推动之下，近年来SiC市场一直保持着快速增长，成为目前综合性能最好、商品化程度最高、技术最成熟的第三代半导体材料。 其中，单晶材料是SiC功率半导体技术和产业的基础，依据器件的使用，还会要求SiC单晶抛光片要有高的表面质量，如表面光滑、表面粗糙度低、无缺陷、无损伤、TTV、Warp等表面参数优良。否则当晶片表面有微小缺陷时，还会遗传给外延生长膜而成为器件的致命缺陷。显然，优秀的晶片加工技术是器件生产的重要基础和基本保证。 切割是将SiC晶棒沿着一定的方向切割成晶体薄片的过程。晶体切割的优劣直接影响后面工艺的加工质量和加工效率，如TTV、Warp等问题主要都是由切片工艺引起的。若切片的TTV和Warp较大，会给后面工序的加工造成很大困难，甚至使晶片报废；若在晶体切割过程中，造成了很深的划痕，在以后的研磨、抛光工艺过程中得花费很多时间和精力才能消除。