高性能氮化铝陶瓷,新一代半导体基片和电子器件封装的理想材料

下载贤集网APP看更多精彩视频

视频介绍

新一代大规模集成电路、半导体模块电路及大功率器件的理想散热和封装材料 氮化铝由于具有高热传导率、高绝缘电阻系数、优越的机械强度及抗热震性等特性,成为重要的精密陶瓷材料。高性能氮化铝陶瓷更是新一代大规模集成电路、半导体模块电路及大功率器件的理想散热和封装材料。 氮化铝是一种具有六方纤锌矿结构的共价晶体,它是一种重要的高导热、低热膨胀系数的陶瓷材料,比氧化铝高5-8倍,所以耐热冲击性好,能耐2200℃的极热。此外,它不受铝液和其他熔融金属及砷化镓的侵蚀,具有极好的耐侵蚀性。 由氮化铝粉制成的高性能氮化铝陶瓷,具有优良的热传导性,可靠的电绝缘性,低介电常数和介电损耗,无毒以及与硅相匹配的热膨胀系数等优良综合性能,非常适用于半导体基片和结构封装材料,被认为是新一代半导体基片和电子器件封装的理想材料。

前沿黑科技

了解更多有趣的知识,就关注前沿黑科技

我来说几句


获取验证码
最新评论

还没有人评论哦,抢沙发吧~

)