碳化硅器件的工作频率可达硅基器件的10倍，这个技术是否可以突破封锁

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视频介绍

5月24日上午，江苏中科汉韵半导体有限公司碳化硅功率器件项目通线仪式在开发区凤凰湾电子信息产业园举行。这标志着我国企业突破了碳化硅芯片设计和工艺制造国产化中的一系列重大“卡脖子”技术!据了解，项目一期建设面积2.1万平方米，全面达产后，年产能将达到5000片碳化硅功率器件等分立半导体器件。都知道芯片主要用到的是硅。那这个碳化硅和硅相比有什么差别呢？碳化硅凭借高击穿场强、热稳定性、高电子饱和速度及禁带宽度等能够大大提高功率器件的性能表现。碳化硅功率器件的主要优势有。 1、耐高温，耐高压。 理论上可承受600℃以上，是硅基功率器件的四倍; 2、优化器件尺寸和重量。 碳化硅器件拥有更高的热导率和功率密度，能够简化散热系统，从而实现器件的小型化和轻量化; 3、低损耗、高频率。 碳化硅器件的工作频率可达硅基器件的10倍，而且效率不随工作频率的升高而降低，可以降低近50%的能量损耗;同时因频率的提升减少了电感、变压器等组件体积，全面缩小系统体积，降低成本。 SiC现已公认为是一种能够可靠替代硅的技术。许多电源模块和电源逆变器制造商已在其未来产品路线图中规划使用SiC技术。你觉得SiC技术对比硅如何呢？