铌酸锂薄膜是什么？它将如何驱动未来光子学革命呢

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视频介绍

如果电子革命的中心是以使其成为可能的硅材料命名的，那么光子学革命的发源地则很可能就是以铌酸锂命名了。前不久，我国科学家胡文研发出一种新型的铌酸锂薄膜，这是一个纳米级的铌酸锂薄膜，可以在滤波器、探测器等器件上发挥重大作用，并为手机智能化、汽车自动驾驶提供更多的可能性。目前，基于氦离子注入的Smart-Cut工艺，是制备铌酸锂薄膜较吸引人的一种方式，而实现薄膜的同异质剥离。一般会采用BCB键合，或者利用二氧化硅亲水键合的方式。但这些方式制备出完整薄膜的难度较大。作为硅基光子芯片的补充，铌酸锂薄膜因其出色的非线性、电光、声光、压电等物理特性，成为光电子集成领域的研究热点。其中铌酸锂调制器是光子集成回路和现代通信的核心器件，已成为当前电光调制器市场的主流产品。然而随着5G网络、云计算、虚拟现实、数据通信与高清视频等业务的高速发展，带动核心光网络向超高速和超远距离传输升级，对承载海量信息的光通信骨干网的需求也提出了更高的要求。但是受限于铌酸锂材料中的自由载流子效应，传统铌酸锂基电光调制器的信号质量、带宽、半波电压、插入损耗等关键性能参数的提升逐渐遭遇瓶颈，且与CMOS工艺不兼容。因此， 制备出尺寸更小的纳米级的，铌酸锂薄膜是解决问题的关键。它或能使铌酸锂基电光调制器的性能，得到大幅提升，并可大规模批量用于光电器件，从而实现低成本、大容量、大带宽与高速率的数据中心光互连。因此它具有巨大的潜力和发展空间。对此，你怎么看呢？