加速芯片制造！EUV系统薄膜透光率现已超过90%

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视频介绍

这段时间，想必小伙伴们从各方媒体中知道了芯片短缺的问题，从去年影响汽车制造开始到今年影响各行各业， 其实从2019年开始，晶圆厂就开始有限度地将极紫外EUV光刻技术用于芯片的大批量制造。然而整个EUV生态系统却还没做好准备，其中影响因素之一就是缺少用于光掩模的防护膜，这极大影响了EUV工具的使用并影响产量。 防护膜通过将其与可能落在其表面上的颗粒隔离开，从而在芯片生产流程中保护6×6英寸光掩模。 EUV防护膜必须非常薄，不应影响掩模版的反射特性，应具有较高的透射率，应维持较高的EUV功率水平并可以承受极端温度。此前，三星和台积电就表示，只有透光率超过90%，它们才会考虑使用这些薄片。 早在2016年，荷兰的工厂设备制造商Teradyne首次开发了多晶硅 EUV薄膜。当时，它的透光率为78%。2018年透光率约为80%，2020年已超过85%。近日，ASML公司宣布将会自今年开始，提供透射率超过90%薄片的极紫外EUV系统。 由金属硅化物制成的最新原型展示了90.6％的透射率，0.2％的不均匀性以及在400W光源下反射率小于0.005％的情况。不久后将由三井制造，足以满足当今的某些需求，但其透射水平仍有改进的空间，相信随着技术进步，芯片生产也会越来越快！小伙伴们你们怎么看。