重磅！IBM发布全球首个2nm芯片制造技术，功耗较7nm减少75%

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视频介绍

蓝色巨人出手就是王炸，IBM宣布造出了全球第一颗2nm工艺的半导体芯片，真的是让人羡慕。核心指标方面，该2nm芯片的晶体管密度为333.33，几乎是台积电5nm的两倍，也比外界预估台积电3nm工艺的292.21 MTr/mm2要高。换言之，在150平方毫米也就是指甲盖大小面积内，就能容纳500亿颗晶体管。同时，在同样的电力消耗下，其性能比当前7nm高出45%，输出同样性能则减少75%的功耗。实际上，IBM此前也是率先造出7nm和5nm 芯片的厂商，在电压等指标的定义上很早就拿下主导权。回到此次的2nm上，采用的是GAA(环绕栅极晶体管）技术，三层。IBM介绍，这是第一次使用底介电隔离通道，它可以实现12 nm的棚长，其内部间隔是第二代干法设计，有助于纳米片的开发。这也是第一次使用EUV曝光FEOL部分过程。这对台积电和三星也算是个目标了，当然更期待国内芯片制造的进步。