上硅所铌酸银基陶瓷材料研究取得进展 ，同步提升储能密度及效率
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铌酸银陶瓷材料具有类反铁电的双电滞回线和高的极化强度，从而具有较大的储能密度，在电介质储能等领域展现出较好的应用前景，近年来受到越来越多的关注。然而，铌酸银陶瓷材料， 因自身固有的回滞效应导致较大的能量损耗，难以同时实现高的储能密度和储能效率，成为制约该材料在储能领域应用的关键问题。 最近，中国科学院上海硅酸盐研究所董显林研究员和王根水研究员团队提出一种提高AgNbO3反铁电材料储能特性的新思路，实现了储能密度和储能效率的同步提升。综合储能性能优于绝大部分无铅储能陶瓷材料。其被证明同时具有微米级和纳米级的反铁电畴，从而具有相对高的极化强度和相对低的回滞效应。此外，还表现出优异的频率稳定性和温度稳定性。
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