中国新型氮化镓半导体激光器,相关结构专利已被美国授权

视频介绍

2020-12-02 17:08:47

自1996年日本日亚公司研制了国际首支GaN基激光器以来,GaN基激光器性能得到了巨大提升,单颗芯片连续输出功率已超过7瓦,然而其电光转换效率仍然较低,导致工作电压和工作结温较高,最终严重影响了器件性能和可靠性。 针对上述问题,中科院苏州纳米所孙钱团队从半导体掺杂和载流子输运理论出发,有效利用III族氮化物材料中施主激活效率比受主高、电子迁移率比空穴大的特点,提出了一种新型GaN基激光器结构:可大幅降低器件的串联电阻和热阻,显著降低工作电压和结温,从而有效提升器件性能和可靠性。另外,翻转脊形波导激光器还可与硅基CMOS实现更好的兼容。相关结构申请了国家发明专利并已授权,还通过PCT进入了美国、日本、德国,其中美国专利已授权。

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